Диффузионные кремниевые диоды-конструктивно оформлены в пластмассовом или металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Кремниевые диффузионные диоды могут работать на повышенной частоте, до 100 кГц.Предназначен для работы в цепях статических преобразователей электроэнергии постоянного и переменного токов .

У диффузионных диодов электрический переход изготавливается методом общей или локальной диффузии донорных или акцепторных примесей в кристалл полупроводника. Диффузию можно проводить однократно и многократно. Например, структура электрического перехода кремниевого диода (рис.9.1.г) p⁺-p-n-n⁺типа изготавливается методом общей многократной диффузии. Область р-типа формируется диффузией акцепторной примеси – алюминия в кремниевую пластину n-типа, а область n⁺типа – диффузией в эту же пластину фосфора – донорной примеси. Для образования р⁺ - области проводится вторая диффузия бора в р-область. Омические контакты с р⁺- и n⁺-

областью изготавливают химическим осаждением никеля и последующим гальваническим золочением.